IRF7702

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7702 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features of the IRF7702:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7702 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-220AB package, which provides good thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 13A continuous current.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7702.

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package