IRF7663TR

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7663TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7663TR  

### **Description:**  
The IRF7663TR is a N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and low power dissipation in switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **R_DS(on) (Max):** 5.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8 (Optimized for space-saving applications)  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 20nC (Typical)  
- **Fast Switching Speed**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Power Management in Computing & Telecom  
- Motor Control  
- Battery Protection Circuits  
- Load Switching  

### **Package Type:**  
PowerPAK® SO-8 (Surface Mount)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package