IRF7601TR

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7601TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF7601TR is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves reliability under inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Compact DPAK (TO-252) Package:** Suitable for space-constrained designs.  

This MOSFET is commonly used in applications such as voltage regulation, load switching, and battery protection circuits.  

(Source: Infineon Technologies Datasheet)

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package