Dual N-Channel , Digital FET The FDC6301N is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -3.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 85mΩ (max) at VGS = -4.5V, ID = -3.5A  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Junction Temperature Range (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

This MOSFET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.