IRF7509

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7509 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications.  
- It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching circuits.  
- **High Current Handling:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package