Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The SI4532DY is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix.  

### **Manufacturer:** Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 7.7A  
  - P-Channel: -6.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.035Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.065Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 1.5V (max)  
  - P-Channel: -1.5V (max)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Description:**  
The SI4532DY is a dual MOSFET combining an N-channel and a P-channel MOSFET in a single SOIC-8 package. It is designed for high-efficiency power management applications, including DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Compact SOIC-8 package for space-saving designs  
- Optimized for synchronous buck converters  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Vishay Siliconix datasheet.

Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor