-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7506TR is a power MOSFET manufactured by IRF (International Rectifier). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IRF (International Rectifier)  
- **Part Number:** IRF7506TR  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 420pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 10ns  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRF7506TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.