**Part Number:** SI4562DY-T1-E3  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A per channel  
- **RDS(ON) (Max):** 28mΩ at VGS = 10V, 35mΩ at VGS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W per channel  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management in applications such as DC-DC converters, load switches, and motor control.  
- Low RDS(ON) and gate charge for reduced conduction and switching losses.  
- Optimized for synchronous rectification in buck converters.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET in a single package**  
- **TrenchFET® Gen III technology** for improved performance  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant**  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications  

This information is based on VISHAY's official datasheet for the SI4562DY-T1-E3.