150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7465TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7465TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.1V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7465TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching applications.  
- The device is optimized for high efficiency in synchronous rectification and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Handling:** Supports up to 80A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Thermally Enhanced Package:** PQFN package improves thermal performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7465TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7465TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 70nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 650pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**  
The IRF7465TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Thermally Enhanced Package:** Improves heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.