N-Channel 60-V (D-S) MOSFET The part **SI4470EY** is manufactured by **Vishay**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI4470EY  

#### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 4.5 mΩ at V_GS = 10V  
  - 5.8 mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

#### **Description:**  
The **SI4470EY** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance (R_DS(ON)) and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

#### **Key Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- High current capability (50A continuous)  
- Optimized for high-frequency switching  
- PowerPAK® SO-8 package for efficient thermal performance  
- TrenchFET® Gen III technology for improved efficiency  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.