30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7389TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 9.5mΩ (V_GS = 10V)  
  - 12mΩ (V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (V_GS = 10V, I_D = 13A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7389TR is a dual N-channel MOSFET in a compact SO-8 package, optimized for high-efficiency power management applications. It is designed for low-voltage, high-current switching in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **High Current Handling** capability  
- **Fast Switching** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.