30V FETKY The IRF7353D2TRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
- The IRF7353D2TRPBF is a dual MOSFET combining one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Features:**  
- **N-Channel MOSFET:**  
  - Drain-Source Voltage (V_DS): 30V  
  - Continuous Drain Current (I_D): 7.7A  
  - R_DS(on) (max): 0.042Ω @ V_GS = 10V  
  - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  

- **P-Channel MOSFET:**  
  - Drain-Source Voltage (V_DS): -30V  
  - Continuous Drain Current (I_D): -5.8A  
  - R_DS(on) (max): 0.075Ω @ V_GS = -10V  
  - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  

- **Package:**  
  - 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  

- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power management in portable devices  

- **Other Specifications:**  
  - Low gate charge  
  - Fast switching speed  
  - Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the available technical data for the IRF7353D2TRPBF.

30V FETKY The IRF7353D2TRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7353D2TRPBF  

### **Description:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for synchronous buck converters and other power management circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.5A  
- **R_DS(on) (Max @ V_GS = 10V):**  
  - N-Channel: 0.045Ω  
  - P-Channel: 0.085Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching.  
- Optimized for high-frequency switching applications.  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Available in an 8-pin SOIC package.  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power supply applications.