### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.11Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.19Ω (at V_GS = -10V)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard logic-level signals.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official IRF7335D1TR datasheet.

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Package:** SOIC-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.5A  
- **R_DS(ON) (Max @ V_GS):**  
  - N-Channel: 0.06Ω @ 10V  
  - P-Channel: 0.11Ω @ -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses.  
- Avalanche rugged for improved reliability.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.