20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7317TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Package:** SOIC-8  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  

### **Descriptions:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Designed for efficient power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control signals.  

### **Features:**  
- **N-Channel MOSFET (IRF7317):**  
  - Drain-Source Voltage (VDS): 55V  
  - Continuous Drain Current (ID): 4.3A  
  - RDS(on) (max): 0.065Ω @ VGS = 10V  
  - Gate-Source Voltage (VGS): ±20V  

- **P-Channel MOSFET (IRF7317):**  
  - Drain-Source Voltage (VDS): -55V  
  - Continuous Drain Current (ID): -3.7A  
  - RDS(on) (max): 0.11Ω @ VGS = -10V  
  - Gate-Source Voltage (VGS): ±20V  

- **Common Features:**  
  - Avalanche Energy Rated  
  - Low Gate Charge  
  - Lead-Free & RoHS Compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application guidelines, refer to the official IR documentation.

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package