20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7317 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per MOSFET  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
  - P-Channel: 0.12Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low thermal resistance for improved power handling.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor drives, and power management circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package