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IRF7207TR from IOR,International Rectifier

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IRF7207TR

Manufacturer: IOR

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7207TR IOR 186 In Stock

Description and Introduction

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7207TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7207TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**
- **Technology:** Advanced HEXFET® MOSFET technology for high efficiency.  
- **Application:** Designed for high-speed switching applications, such as power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- **Low On-Resistance:** Provides reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRF7207TR.

Application Scenarios & Design Considerations

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7207TR IR 15600 In Stock

Description and Introduction

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7207TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7207TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 320pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns  
- **Rise Time (tr):** 20ns  
- **Fall Time (tf):** 12ns  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IRF7207TR is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Application Scenarios & Design Considerations

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7207TR IR 1010 In Stock

Description and Introduction

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7207TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
- IRF7207TR  

### **Type:**  
- N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Operating Junction Temperature Range (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Switching regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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