-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7205TRPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (Infineon Technologies)  
- **Part Number:** IRF7205TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRF7205TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves reliability in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Surface Mount Package (DPAK):** Suitable for automated assembly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7205TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **RDS(ON) (Max @ VGS = 10V):** 0.065Ω  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (Min), 4V (Max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (Typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 120pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (Typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 9ns (Typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (Typ)  
- **Rise Time (tr):** 15ns (Typ)  
- **Fall Time (tf):** 15ns (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Power Supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and reliability data, refer to the official Infineon documentation.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package