IRF644B

250V N-Channel MOSFET The IRF644B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (at V_GS = 10V, I_D = 7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF644B is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 250V.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

For detailed datasheet information, refer to the official documentation from Fairchild/ON Semiconductor.

250V N-Channel MOSFET