250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF634STRL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **IRF634STRL Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Description:**  
The IRF634STRL is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability  
- **Low Gate Charge** for enhanced drive efficiency  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.