Advanced Power MOSFET The IRF634 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The IRF634 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is housed in a TO-220 package, which provides efficient thermal performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF634 MOSFET.