N-CHANNEL 200V 0.35 OHM 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET The IRF630M is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF630M is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for fast switching and high-efficiency power applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Voltage Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official IRF630M datasheet.