-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF6217TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF6217TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 17A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.85Ω (at VGS = 10V, ID = 2.1A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 280pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Rise Time (tr):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
### **Descriptions:**  
The IRF6217TRPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 200V drain-source voltage.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product specifications.