-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF6215L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF6215L is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** for high-frequency applications.  
- **High Current Handling Capability** for robust power management.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and thermal management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.