3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF610 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **FSC (Federal Supply Code):** 5961-01-050-0319  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 110pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole)**  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Compliant with RoHS standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and FSC records.

3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET