-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5804TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF5804TRPBF  

### **Description:**  
The IRF5804TRPBF is a N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 480A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 1.8 mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 2.2 mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, and synchronous rectification circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)