N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs The IRF521 is a power MOSFET manufactured by various companies, including **International Rectifier (IR)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer Specifications (IRF521):**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET (HEXFET)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Suitable for switching applications.  
- **Low Gate Drive Power:** Efficient for power control.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power applications.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures stable performance.  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Switching regulators  

This information is based on historical datasheets from **International Rectifier (IR)**. For exact specifications, refer to the latest datasheet from the manufacturer.