HEXFET Power MOSFET The IRF510SPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF510SPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.6A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.54Ω (at V_GS = 10V, I_D = 3.4A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (at V_DS = 25V, V_GS = 0V)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (at V_DS = 25V, V_GS = 0V)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (at V_DS = 25V, V_GS = 0V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Package:** TO-251 (IPAK)  

### **Descriptions:**  
The IRF510SPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for fast switching speeds and low on-resistance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 100V V_DSS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under inductive loads  
- **TO-251 Package:** Compact and efficient for power applications  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.