100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3710 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF3710 is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in various power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Suitable for high-power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **TO-220 Package:** Facilitates easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.