55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1010NSTRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF1010NSTRLPBF  

### **Description:**  
- N-channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power switching applications  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF1010NSTRLPBF.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package