60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1010EZ is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF1010EZ  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC (typ)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and low conduction losses.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced power dissipation.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation** for enhanced reliability.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-current switching circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package