OptiMOS3 Power-Transistor The **IPP139N08N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 139 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 556 A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.9 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 375 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal power loss.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching Performance:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPP139N08N3G** MOSFET. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

OptiMOS3 Power-Transistor