OptiMOSTM3 Power-Transistor The **IPP126N10N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 126A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 504A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 294W  
- **R_DS(on) (Max):** 1.26mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPP126N10N3G**. For detailed application notes, refer to the manufacturer's documentation.

OptiMOSTM3 Power-Transistor