OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level The **IPP057N08N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP057N08N3 G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** TO-220  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.7 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120 nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction losses due to low R_DS(on).  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching applications.  
- **Robust Design:** High current handling capability and thermal performance.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for demanding applications.  
- **Logic-Level Compatible:** Can be driven by lower gate voltages.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is sourced from Infineon’s official datasheet for the **IPP057N08N3 G** MOSFET.

OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level