OptiMOS-T2 Power-Transistor The **IPI80N06S4L-07** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 60V  
- **Current Rating (I_D):** 80A (continuous)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** N-channel MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications, such as DC-DC converters, motor control, and power management.  
- **Optimized for:** Low conduction losses and high switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power loss in conduction.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Logic Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications requiring high power efficiency.

OptiMOS-T2 Power-Transistor