OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) The **IPI200N15N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPI200N15N3 G  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 150V  
- **Current Rating (I_D):** 200A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 480W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for industrial, automotive, and power supply applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **High Current Capability:** Supports up to 200A continuous drain current.  
- **Robust Design:** High thermal and electrical reliability.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness under transient conditions.  

This information is based on Infineon’s official documentation for the **IPI200N15N3 G** MOSFET. For exact details, refer to the datasheet.

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)