600V CoolMOS C6 Power Transistor The **IPD60R1K4C6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10.5 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 42 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.4 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 11 nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 370 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 6 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 8 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**
- **CoolMOS™ C6 Technology:** Provides high efficiency and reliability in power conversion applications.  
- **Low Switching Losses:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in switching power supplies.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced robustness under high-energy conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Package:** TO-252 (DPAK) – Surface-mount package for efficient thermal performance.  

This MOSFET is commonly used in **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, motor control, and industrial applications** where high voltage and efficiency are required.  

(Note: Always refer to the official **Infineon datasheet** for precise and updated specifications.)

600V CoolMOS C6 Power Transistor