OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) The **IPB200N15N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB200N15N3 G  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 200 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 800 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK-7)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal power dissipation.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged applications.  
- **Optimized Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, DC-DC converters, and industrial applications.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPB200N15N3 G**. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)