OptiMOS3 Power-Transistor The BSC190N15NS3 G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 5
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 150 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 190 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 760 A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625 W (at 25°C)
- **R_DS(on) (Max)**: 3.9 mΩ (at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3.5 V (typical)
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion applications, such as DC-DC converters, motor control, and power supplies.