IPB100N06S3-03

OptiMOS?-T Power-Transistor The **IPB100N06S3-03** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPB100N06S3-03  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0 mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5V (typical)  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-power switching applications** such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Features **low on-state resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for high current handling** with a robust thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application notes or reliability data, refer to **Infineon’s official specifications**.

OptiMOS?-T Power-Transistor