OptiMOS(TM)3 Power-Transistor The IPA057N08N3G is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA057N08N3G  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 80 V  
- **Current Rating (I_D):** 57 A (continuous at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.7 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low R_DS(on):** Enhances thermal performance and efficiency.  
- **Avalanche Rated:** Robustness under high-energy conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is sourced from Infineon’s official datasheet for the IPA057N08N3G.

OptiMOS(TM)3 Power-Transistor