OptiMOSTM3 Power-Transistor The **IPA030N10N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA030N10N3 G  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value may vary)  
- **R_DS(on) (Max):** 30 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** Dependent on thermal conditions  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220 (or similar, exact package may vary)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for fast switching** performance in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  
- **Robust and reliable** due to Infineon’s advanced MOSFET technology.  
- **Avalanche ruggedness** for improved durability in harsh conditions.  
- **Low gate charge (Q_G)** for efficient high-frequency operation.  

For exact datasheet details, refer to **Infineon’s official documentation**.

OptiMOSTM3 Power-Transistor