1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching applications and up to 30kHz for soft switching. Combined Trench- and Fieldstop-Technology. ... The **IGW75N60T** is a power transistor manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C):** 75 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 330 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical at I_C = 75 A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for motor drives, inverters, and industrial power supplies.  
- Features low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 75 A continuous collector current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Robust Design:** High reliability under harsh operating conditions.  
- **Temperature Stability:** Performs well across a wide temperature range.  

This information is strictly based on Infineon's technical documentation for the **IGW75N60T** IGBT.