600V & 1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching and up to 30kHz for soft switching with antiparallel diode. ... The IKW75N60T is a power transistor manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 75 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 330 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.075 Ω (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching due to trench technology  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IKW75N60T is a N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It utilizes Infineon’s advanced TrenchStop™ technology for improved efficiency and thermal performance.  
- Suitable for applications such as motor drives, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy pulses.  
- **Optimized Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves heat dissipation.  

This device is optimized for industrial and automotive applications requiring high power density and reliability.