Variable Capacitance Diode for UHF/VHF tuner The HVU202B is a semiconductor device manufactured by HITACHI. Below are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: High-voltage switching transistor  
2. **Material**: Silicon (Si)  
3. **Polarity**: NPN  
4. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 1500V  
5. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 800V  
6. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7V  
7. **Collector Current (I_C)**: 5A  
8. **Power Dissipation (P_C)**: 50W  
9. **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
10. **Storage Temperature Range (T_stg)**: -55°C to +150°C  
11. **DC Current Gain (h_FE)**: 8 (minimum)  
12. **Turn-On Time (t_on)**: 0.5µs (typical)  
13. **Turn-Off Time (t_off)**: 1.5µs (typical)  
14. **Package**: TO-3P  

These specifications are for reference only. For detailed usage conditions, refer to the official HITACHI datasheet.

Variable Capacitance Diode for UHF/VHF tuner The HVU202B is a high-voltage N-channel MOSFET manufactured by Renesas. Below are its key specifications:

- **Voltage Rating (VDS):** 200V  
- **Current Rating (ID):** 10A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.35Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

These specifications are based on standard operating conditions (Ta = 25°C unless noted). For detailed performance curves and absolute maximum ratings, refer to the official Renesas datasheet.