SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODE The BBY40 is a silicon planar epitaxial NPN transistor manufactured by PHILIPS.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Material:** Silicon  
- **Structure:** Planar epitaxial  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

**Package:** TO-39 metal can.  

This transistor is commonly used in RF and switching applications.  

(Source: PHILIPS Semiconductors Databook)

SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODE The BBY40 is a silicon switching diode manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:  

- **Type**: Switching diode  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40V  
- **Average Rectified Current (IO)**: 250mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 2A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (typical at 10mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets. For exact performance under specific conditions, refer to the official documentation.