14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET?Power MOSFET The **HUFA75823D3S** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **dual N-channel MOSFET** designed for power management applications. This component is optimized for **high-efficiency switching** in DC-DC converters, motor drives, and other power systems requiring fast switching speeds and low conduction losses.  

Built with advanced **TrenchFET® technology**, the HUFA75823D3S offers **low on-resistance (RDS(on))** and high current-handling capability, making it suitable for demanding power applications. Its **30V drain-source voltage (VDS) rating** and **continuous drain current (ID) of up to 30A** ensure reliable performance in a variety of circuit designs.  

The MOSFET features a **compact DPAK (TO-252) package**, providing efficient thermal dissipation while maintaining a small footprint. Its **fast switching characteristics** help minimize power losses, improving overall system efficiency. Additionally, the device is **lead-free and RoHS compliant**, meeting modern environmental standards.  

Engineers often select the HUFA75823D3S for applications such as **synchronous rectification, load switching, and battery management** due to its robust performance and reliability. Its combination of low gate charge and high current capability makes it a preferred choice for high-frequency power conversion circuits.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper integration into your design.

14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET?Power MOSFET

14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET?Power MOSFET The **HUFA75823D3S** from Fairchild Semiconductor is a high-performance power MOSFET designed for demanding switching applications. This N-channel device is built using advanced trench technology, ensuring low on-resistance (RDS(on)) and high efficiency in power conversion circuits. With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 75A, the HUFA75823D3S is well-suited for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

Key features of this MOSFET include a low gate charge (Qg) and fast switching speeds, which minimize power losses and improve thermal performance. Its compact D2PAK (TO-263) package offers excellent thermal dissipation, making it ideal for high-current applications. Additionally, the device is designed with robust avalanche energy ratings, enhancing reliability under transient conditions.  

Engineers favor the HUFA75823D3S for its balance of efficiency, power handling, and thermal stability. Whether used in industrial automation, automotive electronics, or computing power supplies, this MOSFET delivers consistent performance in high-frequency switching environments. Its design underscores Fairchild Semiconductor’s commitment to high-quality power semiconductor solutions.

14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET?Power MOSFET