RF 2-in-1 Hybrid Transistors The part **HN3C12FU** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: TOSHIBA  
- **Part Number**: HN3C12FU  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Configuration**: N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220SIS  

For further details, refer to TOSHIBA's official datasheet.