General purpose (dual digital transistors) The UMH3N is a transistor manufactured by ROHM. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 400mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 to 400 (at V_CE = 6V, I_C = 150mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  
- **High Current Gain (h_FE):** Provides good amplification characteristics.  
- **Compact SOT-323 Package:** Suitable for space-constrained applications.  
- **High-Speed Switching:** Transition frequency (f_T) of 200MHz makes it suitable for high-frequency applications.  
- **Applications:** Used in amplification, switching circuits, and high-frequency signal processing.  

This information is based on ROHM's official datasheet for the UMH3N transistor.