14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTP7N60B3D is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 600V  
- **Current Rating (ID)**: 7A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 1.2Ω (max at VGS = 10V)  
- **Package**: TO-220  
- **Technology**: SuperFET® II (low gate charge, fast switching)  
- **Applications**: Power supplies, motor control, lighting  

This information is based on Fairchild's datasheet for the HGTP7N60B3D.