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FCP7N60 from FAIRCHIL,Fairchild Semiconductor

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FCP7N60

Manufacturer: FAIRCHIL

600V N-Channel SuperFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FCP7N60 FAIRCHIL 420 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel SuperFET The FCP7N60 is a MOSFET manufactured by FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 600V  
- **Current Rating (ID)**: 7A  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.9Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Package**: TO-220F (isolated)  

This MOSFET is designed for switching applications, including power supplies and motor control.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016, but the original manufacturer is listed as FAIRCHILD in the datasheet.)

Application Scenarios & Design Considerations

600V N-Channel SuperFET# FCP7N60 N-Channel Power MOSFET Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FCP7N60 is a 600V, 7A N-channel power MOSFET primarily designed for high-voltage switching applications. Its typical use cases include:

 Switching Power Supplies 
- AC/DC converters in SMPS designs
- Forward and flyback converter topologies
- Power factor correction (PFC) circuits
- Isolated DC-DC converters

 Motor Control Applications 
- Brushless DC motor drivers
- Stepper motor controllers
- Industrial motor drives up to 1.5kW
- Automotive motor control systems

 Lighting Systems 
- Electronic ballasts for fluorescent lighting
- LED driver circuits
- High-intensity discharge (HID) lighting controls

 Power Management 
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Inverter circuits
- Battery charging systems

### Industry Applications
 Industrial Automation 
- PLC power modules
- Industrial control systems
- Robotics power distribution
- Factory automation equipment

 Consumer Electronics 
- Large-screen television power supplies
- Audio amplifier power stages
- Computer peripheral power systems

 Renewable Energy 
- Solar inverter circuits
- Wind turbine power converters
- Energy storage system controllers

 Automotive Systems 
- Electric vehicle charging stations
- Automotive power conversion
- 48V mild-hybrid systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON):  0.95Ω maximum at 25°C provides excellent conduction efficiency
-  Fast switching speed:  Typical rise time of 25ns and fall time of 50ns
-  High voltage capability:  600V drain-source voltage rating
-  Low gate charge:  Typical Qg of 28nC enables efficient high-frequency operation
-  Avalanche energy rated:  Robust against voltage transients
-  TO-220 package:  Excellent thermal performance with proper heatsinking

 Limitations: 
-  Gate threshold sensitivity:  Requires careful gate drive design
-  Limited current handling:  Maximum 7A continuous current
-  Thermal considerations:  Requires adequate heatsinking for high-power applications
-  Parasitic capacitance:  Output capacitance (Coss) of 85pF typical affects switching performance

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
*Pitfall:* Insufficient gate drive current causing slow switching and excessive power dissipation
*Solution:* Implement dedicated gate driver IC with peak current capability >2A

*Pitfall:* Gate oscillation due to long PCB traces
*Solution:* Use short, direct gate connections with series gate resistor (10-100Ω)

 Thermal Management 
*Pitfall:* Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
*Solution:* Calculate thermal requirements using θJA and provide sufficient heatsink area

*Pitfall:* Poor PCB layout affecting thermal performance
*Solution:* Use adequate copper area for drain connection and thermal vias

 Voltage Spikes 
*Pitfall:* Drain-source voltage overshoot during switching
*Solution:* Implement snubber circuits and ensure proper freewheeling diode selection

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility 
- Compatible with standard MOSFET drivers (IR21xx, TC42xx series)
- Requires minimum 10V VGS for full enhancement
- Maximum VGS rating of ±30V must not be exceeded

 Freewheeling Diode Requirements 
- Requires fast recovery diodes in parallel for inductive loads
- Recommended: Ultra-fast diodes with trr < 50ns
- Voltage rating should exceed maximum system voltage by 20%

 Microcontroller Interface 
- Not directly compatible with 3.3V or 5V logic levels
- Requires level shifting or dedicated gate driver IC
- Opt

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FCP7N60 Fairchild 10 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel SuperFET The FCP7N60 is a N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 28A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.9Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 40ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typical)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications such as power supplies and motor controls.

Application Scenarios & Design Considerations

600V N-Channel SuperFET# FCP7N60 SuperFET™ Power MOSFET Technical Documentation

*Manufacturer: Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FCP7N60 is a 600V, 7A N-channel power MOSFET utilizing Fairchild's proprietary SuperFET technology, making it particularly suitable for:

 Primary Switching Applications 
- Switch-mode power supplies (SMPS) in flyback and forward converters
- Power factor correction (PFC) circuits in AC-DC converters
- Motor drive circuits for industrial equipment
- Inverter circuits for UPS systems and solar applications

 High-Voltage Switching 
- Electronic ballasts for lighting systems
- DC-DC converter primary side switching
- Industrial control system power stages

### Industry Applications

 Consumer Electronics 
- LCD/LED TV power supplies
- Computer server and desktop power supplies
- Adapter and charger circuits for portable devices

 Industrial Systems 
- Industrial motor drives and controls
- Welding equipment power supplies
- Factory automation power systems

 Renewable Energy 
- Solar microinverters
- Wind power conversion systems
- Energy storage system power management

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON):  0.95Ω maximum at 25°C provides reduced conduction losses
-  Fast switching characteristics:  Low gate charge (Qgd typical 8.5nC) enables high-frequency operation up to 100kHz
-  Excellent avalanche ruggedness:  Withstands high energy pulses in inductive load applications
-  Improved dv/dt capability:  Enhanced immunity to false triggering in noisy environments
-  Low gate threshold voltage:  3.0V typical allows compatibility with low-voltage drive circuits

 Limitations: 
-  Package constraints:  TO-220 package limits power dissipation to approximately 125W
-  Thermal considerations:  Requires proper heatsinking for high-current applications
-  Voltage derating:  Recommended to operate at 80% of rated voltage (480V) for improved reliability
-  Frequency limitations:  Switching losses become significant above 150kHz

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall:  Insufficient gate drive current causing slow switching and increased switching losses
-  Solution:  Use dedicated gate driver ICs (e.g., FAN7382) capable of delivering 2A peak current
-  Pitfall:  Excessive gate resistor values leading to Miller plateau issues
-  Solution:  Optimize gate resistor value (typically 10-47Ω) based on switching speed requirements

 Thermal Management 
-  Pitfall:  Inadequate heatsinking causing thermal runaway
-  Solution:  Calculate junction temperature using: TJ = TA + (RθJC + RθCS + RθSA) × Pdiss
-  Pitfall:  Poor PCB thermal design
-  Solution:  Use thermal vias and adequate copper area for heat dissipation

 Protection Circuits 
-  Pitfall:  Lack of overcurrent protection
-  Solution:  Implement current sensing with desaturation detection
-  Pitfall:  Voltage spikes during turn-off
-  Solution:  Use snubber circuits and proper freewheeling diode selection

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility 
- Compatible with most standard MOSFET drivers (IR21xx series, FAN73xx series)
- Ensure driver output voltage does not exceed maximum VGS rating (±30V)
- Verify driver current capability matches gate charge requirements

 Freewheeling Diode Selection 
- Requires fast recovery diodes with trr < 100ns
- Recommended: Ultrafast diodes (UF4007, MUR160) for best performance
- Avoid using standard recovery diodes to prevent reverse recovery issues

 Bootstrap Circuit

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FCP7N60 FSC 36 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel SuperFET The FCP7N60 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number**: FCP7N60  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDSS)**: 600V  
- **Current Rating (ID)**: 7A  
- **Power Dissipation (PD)**: 190W  
- **RDS(on) (Max)**: 1.2Ω @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 3V (Min), 5V (Max)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to the official Fairchild Semiconductor documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

600V N-Channel SuperFET# FCP7N60 N-Channel Power MOSFET Technical Documentation

*Manufacturer: FSC (Fairchild Semiconductor)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FCP7N60 is a 600V, 7A N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Switching Power Supplies 
-  SMPS (Switched-Mode Power Supplies) : Used in flyback and forward converter topologies
-  AC-DC Converters : Employed in offline power supplies for consumer electronics
-  DC-DC Converters : Suitable for high-voltage step-down applications

 Motor Control Systems 
-  Brushless DC Motor Drives : Provides efficient switching for motor control circuits
-  Industrial Motor Controllers : Handles high-voltage motor driving applications
-  Appliance Motor Control : Used in washing machines, refrigerators, and HVAC systems

 Lighting Applications 
-  Electronic Ballasts : For fluorescent lighting systems
-  LED Drivers : In high-power LED lighting applications
-  HID Lighting : High-intensity discharge lamp control

 Power Management 
-  Power Factor Correction (PFC) : In boost converter configurations
-  Uninterruptible Power Supplies (UPS) : For inverter and battery charging circuits
-  Solar Inverters : In DC-AC conversion stages

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Power adapters, TV power supplies, gaming consoles
-  Industrial Automation : Motor drives, control systems, power distribution
-  Telecommunications : Base station power supplies, network equipment
-  Automotive : Electric vehicle charging systems, auxiliary power units
-  Renewable Energy : Solar microinverters, wind power systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : 0.95Ω maximum reduces conduction losses
-  Fast Switching : 35ns typical turn-on delay minimizes switching losses
-  High Voltage Rating : 600V capability suitable for offline applications
-  Avalanche Rated : Robust against voltage spikes and transients
-  Low Gate Charge : 28nC typical enables efficient gate driving

 Limitations: 
-  Gate Sensitivity : Requires proper gate drive circuitry to prevent oscillations
-  Thermal Management : Maximum junction temperature of 150°C necessitates adequate cooling
-  Voltage Derating : Recommended to operate at 80% of maximum rating for reliability
-  SOA Constraints : Limited safe operating area at high voltage and current combinations

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and increased losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs with 1-2A peak current capability
-  Pitfall : Excessive gate resistor values leading to switching speed reduction
-  Solution : Optimize gate resistor value (typically 10-100Ω) based on switching requirements

 Thermal Management Problems 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking causing thermal runaway
-  Solution : Implement proper thermal design with heatsinks and thermal interface materials
-  Pitfall : Poor PCB layout increasing thermal resistance
-  Solution : Use large copper areas and thermal vias for heat dissipation

 Voltage Spike Concerns 
-  Pitfall : Voltage overshoot during switching exceeding maximum ratings
-  Solution : Implement snubber circuits and proper layout to minimize parasitic inductance

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers 
- Compatible with most standard gate driver ICs (IR2110, TC4420, UCC27524)
- Requires 10-15V gate drive voltage for optimal performance
- Avoid drivers with slow rise/fall times (>50ns)

 Freewheeling Diodes 
- Must use

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